Teknoloji dünyasında yıllardır süren "daha fazla transistörü küçük bir alana nasıl sığdırırız?" yarışı, yeni bir yöntemle tamamen değişiyor. Geleneksel üretimde transistörler yan yana dizildiği için bir noktadan sonra yer kalmıyordu. Bilim insanları ise şimdi bu bileşenleri kat kat üst üste dizerek tıpkı bir gökdelen gibi dikey çipler üretmeyi başardı.
Sıcaklık engelini yeni yöntemle aştılar
Bugüne kadar üç boyutlu çip üretmenin önündeki en büyük engel yüksek sıcaklıktı. Silikon transistörleri üretmek için gereken 1000 derecelik ısı, alttaki devreleri yakıp bozuyordu. Illinois Üniversitesi'nden araştırmacılar ise 10 nanometreden ince silikon katmanları kullanarak bu işlemi 200 derecenin altında gerçekleştirdi. Böylece alttaki metal bağlantılar zarar görmeden devreler birbirine eklenebiliyor.
Moore Yasası için yeni bir umut ışığı
Ekip, sadece dizilimi değiştirmekle kalmadı, "junctionless" adını verdikleri yeni bir transistör mimarisi de geliştirdi. Bu sayede üretim süreci çok daha verimli hale geldi. Şimdi bu yöntemin büyük ölçekli fabrikalarda test edilmesi bekleniyor. Eğer her şey yolunda giderse, akıllı telefonlarımızdan yapay zeka sistemlerine kadar kullandığımız tüm cihazlar çok daha hızlı ve az enerji tüketen bir yapıya kavuşacak. Senin cebindeki telefonun gelecekteki gücü, işte bu dikey mimaride saklı olabilir.
