Akıllı telefonlarımızdan devasa yapay zeka sunucularına kadar veriyi saklama biçimimiz kökten değişiyor. Samsung, NAND teknolojisinde katman sayısını 900 seviyesine çıkararak depolama dünyasında yeni bir rekora imza attı. Şirket, bu prototiple birlikte yüksek kapasiteli bellek üretiminde elini oldukça güçlendirdi.
Yeni üretim yöntemi nasıl çalışıyor
Samsung mühendisleri bu zorlu tasarım için Cell Multi-Bonding adını verdikleri bir yöntem geliştirdi. Bu teknik, iki ayrı 450 katmanlı hücre yapısını üst üste ekleyerek tek bir çip haline getiriyor. Böylece fiziksel boyut büyümeden depolama kapasitesi ciddi miktarda artıyor. Üstelik bu yeni tasarım sayesinde çipler daha az güç harcayarak çalışıyor. Bu durum özellikle sürekli açık kalan veri merkezleri için büyük bir elektrik tasarrufu anlamına geliyor.
Rekabette son durum ne
Bellek piyasasında yarış oldukça sert geçiyor. SK Hynix 321 katmanlı çözümleriyle şu an pazarda öne çıkarken, Çinli YMTC ise 294 katmanlı çiplerle arayı kapatmaya çalışıyor. Samsung ise 10. nesil 400 katmanlı çiplerini seri üretime sokmaya hazırlanırken 900 katmanlı bu yeni prototiple liderliğini perçinlemeyi hedefliyor. Üretim sürecindeki eğilme ve hizalama gibi teknik sorunları özel tasarım araçlarıyla çözen şirket, yakın gelecekte daha hızlı ve verimli cihazların önünü açacak.
